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攻克高能离子加速 国产芯片技术突破

2020
06/29
08:42
大公报
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【大公报讯】据中新社报道:作为芯片製造核心关键装备,由中国电子科技集团有限公司(中国电科)旗下电科装备自主研製的高能离子注入机,已成功实现百万电子伏特高能离子加速,其性能达国际主流先进水平。

中国电科旗下电科装备离子注入机总监张丛表示,电科装备将在年底前推出首台高能离子注入机,实现中国芯片製造领域全系列离子注入机自主创新发展,并将为全球芯片製造企业提供离子注入机成套解决方案。

据了解,离子注入机是芯片製造中至关重要的核心关键装备。在芯片製造过程中,需掺入不同种类元素以按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中。离子注入机即是执行这一掺杂工艺的芯片製造设备。

高能离子注入机是离子注入机中技术难度最大的机型,长久以来,因其极大的研发难度和较高的行业竞争壁垒,被称为离子注入机领域的“珠穆朗玛峰”,是中国集成电路製造装备产业链上亟待攻克的关键一环。

中国电科介绍说,旗下电科装备,此前已连续突破中束流、大束流、特种应用及第三代半导体等离子注入机产品研发及产业化难题,产品广泛服务於全球知名芯片製造企业。

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